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HANNOVER MESSE 2020, 20. - 24. April
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Elektronik aus dem Drucker

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Karlsruher Institut für Technologie

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Produktbeschreibung

Gedruckte Elektronik ist für alle großflächigen Anwendungen attraktiv, wie beispielsweise mit Leuchtdioden versehene Tapeten oder mit Solarzellen bestückte Folien für Fenster und Fassaden.Im Druckverfahren hergestellte Elektronik verwendet momentan meist organische Halbleitermaterialien, die sich jedoch oft im Laufe der Zeit zersetzen. Die Bauteile sind zudem im Allgemeinen noch nicht schnell genug, um sie für anspruchsvolle Anwendungen einsetzen zu können. KIT-Wissenschaftler haben Möglichkeiten gefunden, die Schnelligkeit und Langlebigkeit von gedruckter Elektronik, insbesondere von Feldeffekttransistoren (FET), zu erhöhen. Solche Transistoren, die Kernbausteine vieler integrierter Schaltungen sind, bestehen aus einer Quellelektrode, einer Abflusselektrode (Drain) sowie einer Steuerelektrode (Gate). Source und Drain sind über einen Kanal (Channel) aus einem Halbleiter verbunden. Die Gate-Elektrode, die vom Kanal durch ein nichtleitendes Material (Dielektrikum) getrennt ist, steuert den Strom, der zwischen Source und Drain fließt. Der am KIT entwickelte Feldeffekttransistor enthält Nanopartikel aus einem anorganischen Halbleitermaterial, die den Kanal bilden. Als Dielektrikum wird ein Elektrolyt verwendet, der beim Auftrag flüssig ist, in die Poren des Kanals eindringt und später zu einem transparenten Feststoff aushärtet. Eine zwischen Source und Gate anliegende Spannung baut ein elektrisches Feld auf, das die Ausbildung elektrischer, dreidimensionaler Doppelschichten an den Oberflächen der Halbleiternanopartikeln bewirkt. Somit sind eine dreidimensionale Steuerung und ein für schnelle Transistoren vorteilhafter, schichtweiser Aufbau möglich.

Zu dieser Technologie erhalten Sie am Stand des KIT einen Überblick. Tiefergehende Informationen können im Anschluss an die Messe individuell im Kontakt mit den zuständigen wissenschaftlichen Beschäftigten des KIT ausgetauscht werden.

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